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英特尔美光联合公布20nm工艺技术

2011-04-15 ZDNet存储频道

  NAND闪存芯片的开发又迈出了最新的一步。在开始出货25nm ClearNAND闪存芯片的4个月之后,英特尔与美光的合资企业IMFT(IM Flash Technologies)近日推出了用于制造更小体积固态硬盘的20nm制程技术。

  新的20nm工艺将用于生产8GB、MLC NAND闪存设备,面积仅为118平方毫米,但提供了高容量和小体积存储设备。

  美光表示,相比现有的25nm 8GB NAND闪存,这个体积更小的芯片使得主板缩小30%~40%(取决于封装类型)。

  由此产生的芯片将被设备和系统制造商用于新兴市场,例如针对手持设备的嵌入式应用,企业级服务器、平板电脑、MP3播放器、数码相机和摄像机等。

  NAND闪存市场持续着芯片缩小的趋势。美光已经将模片大小从三年前的72nm缩小至如今的20nm。它的竞争对手包括三星、西数、SanDisk、东芝和希捷等。

  美光、英特尔和东芝均表示,最终所有纳米技术都将面临瓶颈,NAND闪存工艺将在5年内达到极限。

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