三星宣布20nm新型相变内存

　　随着SSD固态硬盘近几年的流行，各大厂商在NAND闪存上投入了先当大的研发经历。不过NAND闪存虽然能够在断电时保存数据，但其在速度以及耐久性上并不十分理想。所以相关的替代技术一直被大家所关注，而相变内存（PCM）颗粒就是一种非常有前景的技术。

　　日前，三星宣布已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。

　　新的内存颗粒最大的亮点是采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造，几乎达到了包括相变内存在内的所有DDR内存以及NAND闪存的极限。

　　相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有断电不掉数据，耐久性好，速度快等优点;根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。

　　预计三星将在明年2月在美国旧金山召开的ISSCC会议上公布这种新内存的具体细节。

　　相变内存实现的原理，是“通过加热的方法改变硫属化物玻璃(chalcogenide glass)的晶体状态，从而实现信息的存储。”

　　相变内存不仅是一种新型非易失性相变材料(转换速度比闪存快500倍，功耗不到闪存的一半)，最重要的是，当其尺寸缩小为至少20纳米时，依然可实现这些性能，远远领先浮栅闪存。该相变存储器的核心是一小片半导体合金膜，它可以在有序的、具有更低电阻的结晶相位与无序的、具有更高电阻的非结晶相位之间快速转换。因为无需电能来保持这种材料的任意一种相位，所以，相变存储器是非易失性的。

　　简单的来说，就是一种非易失性DRAM，这是一个同时拥有内存条的存储传输效率，和FLASH存储的非易失性的比较完美的方案。