英特尔SoC升级：揭秘CPU“嵌入式”内存

　　英特尔在2013国际超算大会（SC 13）上宣布，为提升受到内存限制的工作负载的运行速度，英特尔计划为Xeon处理器堆栈一层内存，目前相关工作正在进行当中。

　　根据EE Times的一份报道显示，英特尔数据中心集团的副总裁兼总经理Rajeeb Hazra表示，英特尔将提供高端的Xeon处理器和Xeon Phi协处理器定制业务，通过增加内存模块至处理器封装系统，而后将内存模块层连同电子元件及转换器共同集成至处理器的方法，为这二类处理器实现内存集成。

　　Hazra曾在7月22日的一次演讲中提到了通用内存堆栈的概念，见下图： 

　　同时，他还告诉现场的参会媒体，宣称代号为Knights Landing的下一代Xeon Phi协处理器将具备十个核心，并且也将实现嵌入式内存集成。在Xeon处理器封装中添加堆栈内存模块的概念在此时也已经对外公布。

　　在3D封装中纳入内存模块和入处理器的做法被英特尔归类为“近内存”，这与DDR DRAM的“远内存”概念截然相反。“近内存”可以提供更快的数据访问速度。

　　Hamza表示：“我们正在寻找各种新式的集成方式，包括集成互连的部分组件，以及将下一代的存储和内存更密切的集成进处理器芯片。”

　　芯片内的内存地址空间可以被视作高速缓存或作为一个平面内存空间，或者是二者的结合。程序员们需要对应用程序作出相应的修改，才能使用这类与CPU相邻的平面内存空间，并与普通的DRAM内存区别开来。

　　不过，封装集成式内存的容量将受到封装内物理空间的限制，因此我们不能完全用这类“近内存”来取换替代传统的“远内存”产品。

　　此外，这类封装式内存堆栈将仅面向特殊客户群，据悉应该是一些大型客户，如谷歌、Facebook或亚马逊等等，并将因此与传统的X86标准相背道而驰。与此同时，为将数据从“远内存”迁移至“近内存”（或从“近内存”迁移至“远内存”），其还需要对数据进行迁移或对软件进行分层布置。