Marvell controller：让TLC闪存更接近数据中心

　　Marvell Semiconductor正在制造一种新的基于SATA的固态硬盘控制器，专为提高基于三阶存储单元(TLC)的非易失性NAND闪存记忆体的错误检测率，据说这样可以刺激固态硬盘(SSD)制造商为深层归档开发一些基于三阶存储单元(TLC)的企业级硬盘。

　　Marvell的88SS107控制器是该公司第五代控制器，将会使用一个标准的6 Gbps SATA磁盘接口，并用其标志性的低密度奇偶校验解码技术来检测“串扰”错误。同时，Marvell采用28纳米“互补金属氧化物半导体(CMOS)”技术来设计该控制器，拥有了更强大的固件。

　　Marvell公司的首席技术官Zining Wu说：“这些技术使我们能够在芯片中嵌入更多的电路，以支撑更复杂的算法运行。”

　　三阶存储单元(TLC)在每个存储单元中存放3位信息，广泛应用于不需要高写入周期的消费类驱动器中。三阶存储单元 (TLC)尽管比“单阶存储单元(SLC)”和“多阶存储单元(MLC)”便宜，但是由于其较低的读写寿命和三个不同的电平造成的信号干扰，基本不用于企业中。

　　由于三阶存储单元(TLC)每个存储单元中存放相对较多的存储位信息，而且相邻单元之间电平的不同造成读写过程中干扰变大，因此三阶存储单元 (TLC)在性能下降之前一般只能保证每个物理内存块200到300次擦写寿命。多节存储单元(MLC)在已有的存储阵列中是最受欢迎的闪存记忆体，因为其能保证每个物理内存块3000次的擦写寿命。

　　Zining Wu表示Marvell的高级控制器可以通过在固态硬盘(SSD)中整合三阶存储单元(TLC)来代替多节存储单元(MLC)达到降低整体存储成本的目的，但是他拒绝对硬盘厂商何时会采用该技术作出预测。

　　Taneja Group的总裁Arun Taneja认为Marvell的新控制器应该能够加快TLC闪存在企业存储中的步伐。

　　Taneja说：“三阶存储单元已经开始广泛应用于非关键性任务应用程序的存储阵列中，和两年前的存储领域情况相比较，这是一个非常惊人的消息，因为当时在两个不同的电平之间甚至还没有纠错算法。”

　　“而对我来说，这也绝对是个大新闻。因为所有冷存储都是基于SATA的机械硬盘。关于超大档案库的最大问题是什么？是电力，冷却和空间的费用。而这些问题都可以通过使用三阶存储单元(TLC)来解决。”

　　Marvell表示它们的控制器可以和领先的NAND制造商兼容，同时在这个夏天固态硬盘厂商会开始采样使用该控制器。