台湾闪存记忆体非易失性记忆体制造商旺宏电子准备发布一些技术并表示这些技术下的闪存记忆体可以承受1亿次的读取/写入循环。
       
        由于电子在晶体管内进入进出，现在的闪存记忆体会随着时间而损耗。这个问题已经让制造商们实施“损耗均衡”算法，确保数据并不总是被一直写入磁盘中的同一个区域。通过共享工作量，损耗均衡可以让闪存磁盘有效延长寿命，避免经常被使用的区域提前寿命到期。

　　英特尔和三星等公司之后指出它们的损耗均衡技术现在已经很先进，因此它们的磁盘大部分可以度过延长的工作寿命。

　　不过旺宏电子在2012年12月11日2012年国际电子设备大会上发布的创新看起来和损耗均衡没有什么关系。

　　旺宏电子在大会上发表了名为《通过使用内置热退火来自我修复应力损坏从而极大延长闪存记忆体循环周期(超过1亿次循环)》的主题演讲。该演讲在总结部分解释道“闪存记忆体耐用性在强大的电场压力下重复P/E循环后会因为隧道氧化退化而受到限制”。

　　该小结继续道：“热退火可以修复氧化损耗，不过这种技术还需要在实际中检验，因为成品设备无法承受400摄氏度以上的高温，而且在实际操作中长期的烘烤时间也是不实际的。”

　　旺宏电子的突破被描述为“一种新的自我修复闪存，在本地高温(超过800摄氏度)下，内置加热器会进行短时间(毫秒级)的退火操作”。该设备的表现很好。该公司表示测试达到了1亿次读取/写入循环，中间没有任何问题迹象，而且看起来测试时间还可以更长，不过他们没有时间来做更多的测试。