三星电子今日宣布，该公司已成为业内首个成功试产16GB DDR4内存模组的厂商。此次亮相的这一产品为RDIMM形式，面向企业级服务器市场。

目前三星采用的生产制程工艺为30nm级别，6月试产的样品包括单条8GB/16GB容量型号。三星此前曾在2010年12月份展示过业界首个30nm工艺2GB DDR4内存。

三星透露，DDR4内存对比DDR3的优势显而易见：带宽方面明年的DDR4产品最多可达目前常见的DDR3-1600的两倍，即3200Mbit/s；此外工作电压对比三星此前的DDR3L内存1.35V数值也下降至1.2V，使得整体功耗最多可减小约40%。

三星表示将与OEM客户以及主要CPU/内存控制器制造商紧密合作扩展高存储密度DDR4内存模块的市场，零售产品预计将于明年大规模量产上市。而在制程进化到20nm级别之后，DDR4内存的单条容量更是可提升至32GB。