英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元（MLC）NAND设备，在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存，进一步扩展了双方在NAND制程工艺技术领域的领导地位。

单片容量达128Gb的全新20纳米制程NAND设备是由英特尔与美光的合资企业——IM Flash Technologies（IMFT）开发而成，它也是业内首款通过在指尖大小的封装中仅集成8块芯片来实现1Tb数据存储容量的NAND设备。与英特尔及美光现有的20纳米制程64Gb NAND设备相比，新设备在存储容量和性能方面均提升了一倍。它还符合高速ONFI 3.0（Open NAND Flash Interface 3.0）规范，传输速度可达333 MT/s（每秒百万次传输），可为用户带来更加经济高效的固态存储解决方案，以满足当今纤薄时尚型产品，包括平板电脑、智能手机和大容量固态硬盘（SSD）的设计需求。

美光公司NAND解决方案部门副总裁Glen Hawk表示：“随着便携式产品日趋小型化和时尚化，以及服务器需求的日益增加，我们的用户期望美光能够推出创新的存储技术和系统解决方案来应对这些挑战。我们将继续深化与英特尔公司的合作，不断推出领先的NAND技术和提供对构建相关系统来说至关重要的专业知识。”

英特尔和美光还透露，其20纳米制程工艺技术成功的关键，就在于一种创新的存储单元结构，它拥有比传统结构更高的存储单元可扩展性，这一结构就是业界首创的平面存储单元结构。该结构能够帮助有效克服先进制程技术一直面临的挑战，同时实现毫不逊色于上一代产品的卓越性能与可靠性。平面存储单元结构通过在NAND闪存制造中集成首个高K/金属栅极堆栈，成功打破了标准NAND闪存浮置栅极单元的扩展限制。

英特尔公司副总裁兼非易失性存储器解决方案事业部总经理Rob Crooke表示：“在英特尔和美光的携手努力下，我们的制造团队创下了多个业界第一，推出了众多高密度、低成本的高品质20纳米制程NAND设备，有力地巩固了我们在NAND技术领域的领导地位，对此我们备感振奋。通过使用平面存储单元结构和高K/金属栅极堆栈技术，