而现在，台湾也希望在目前8英寸过渡到12英寸晶圆厂的世代交替时期，以同样的方法取代韩国成为这个产业的老大。目前，台湾的12英寸产能或许已经到第一的位置了，但是因为核心技术的缺乏，还是未能撼动三星和海力士全球存储器第一第二的位置。我们不禁要问了，现在存储器还能成为突破口吗？
　　
　　为什么韩国能成功，我国台湾却未能达成?
　　
　　采用代工模式，缺乏自身应有的技术，这是我国台湾存储器追赶韩国失败的主要原因。
　　
　　我国台湾地区取得全球晶圆代工及封装第一及IC设计第二，仅次于美国，取得如此骄人的成绩并没有沾沾自喜，相反总是在努力寻找差距，并确立新的追赶目标，这一点是非常难能可贵的。比如，我国台湾地区自2004年开始，就对半导体及平板显示业展开大讨论，以韩国为目标寻找差距，探讨“为什么韩国能，台湾不能?”
　　
　　通过分析比较，确立了半导体产业发展目标：一是总产值要超过韩国，成为继美国、日本之后居全球第三位。二是在未来3～5年中，存储器业要超过韩国，成为全球第一。
　　
　　半导体业内似乎有个“潜规则”，只要舍得投资就有可能成功。根据此理念，我国台湾从2004年开始加速存储器投资，如从2004至2008年期间，在存储器方面的总投资达300多亿美元，拥有全球最多的、达20条的12英寸晶圆生产线，大大超出同期三星的投资，但是最终并未因生产线数量多而取得胜利。近期，我国台湾已宣布放弃存储器的合并策略，而转向固守阵地。
　　
　　在存储器方面投重资未能奏效，这可以说是我国台湾在半导体策略上的一次重大失误。其原因是多方面的，主要如下：
　　
　　一是我国台湾在发展存储器业时，主要采用代工模式，而代工模式在DRAM业中是不成功的。众所周知，DRAM产业有两个趋势已成共识：一个是制程转进快，紧跟摩尔定律。由于存储器在产品设计上相对简单，无多大差异性，如在12英寸硅片中，同为512MbDDR2产品，在相同工艺制程上，并假设成品率相同为85%时，90nm与70nm制程在每个硅片上产出的芯片数量分别为750个～1050个、1350个～1420个，成本差距达40%以上。所以目前全球DRAM业纷纷转进3xnm制程。
　　
　　二是月产能达15万片的超级大厂盛行，投资达50亿～80亿美元。因为运行3个5万片晶圆厂的成本肯定高过一个15万片晶圆厂。按此分析，当代工厂的产能不足时无法与IDM厂竞争，当产能足够大时，代工厂也担心未来订单不足而犹豫扩充产能，同时那些IDM厂又担心代工厂会与自己争夺客户。另外，IDM厂不可能把最先进制程的产品交给代工，代工模式在DRAM业中遭到质疑，中芯国际在2008年退出存储器代工可能也基于此理。