忆阻器能否替代NAND闪存?存储与灾备

2013-07-23    来源:TechTarget中国    编辑:statfs
忆阻器是一个连接电荷和磁通量的非线性、二元被动电子元件。这种被动电子元件包括电流和电压的时域关系。

  我听说忆阻器有可能成为闪存的替代品,忆阻器到底是什么?它是如何工作的呢?

  Leah Schoeb:忆阻器的概念是由电路理论学家蔡少棠(Leon Chua)提出的,他将忆阻器描述成一个连接电荷和磁通量的非线性、二元被动电子元件。这种被动电子元件包括电流和电压的时域关系。

  在他提出的预测概念中,蔡教授认为这个定义能够涵盖所有基于电阻开关的非挥发性二元存储设备。忆阻器、电阻器、电容器与电感元件这四类电子元件,能在纳米级别展示它们的独特属性。

  尽管现在很多公司都在研究忆阻器,如惠普、Intel、SK Hynix和美国休斯实验室(HRL),但是仍然没有可以用作快速原型和组件构建的独立版本。只有早期原型。现在关于什么材料最适合做忆阻器的研究有很多,而二氧化钛忆阻器是目前最有前景的一个。

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