研人员开发出一种分子材料，可克服传统电子元件造成的闪存空间限制问题，使常用的相机、手机等存储卡提升存储能力。

　　闪存是一种很普遍的数据存储技术，但由于现有的数据单元设计问题，这种存储方式有着物理上的局限性。目前闪存装置采用金属氧化物半导体，而用这种材料很难生产出10个纳米单位以下大小的元件，这就限制了传统硅芯片所能存储的空间。

　　此前也有研究提出，可尝试用单个分子替代这种金属氧化物，从而打破物理局限性。但分子存储材料存在耐热性差、高电阻等许多现实障碍。为此，英国格拉斯哥大学研究人员与西班牙同行一起，利用一种被称为“多金属氧盐酸”的化合物，合成出一类可发挥存储作用的分子。实验显示，这种分子的结构稳定性和通电能力都符合要求，可用作闪存装置的存储节点。

　　领导这项研究的格拉斯哥大学教授李·克罗宁说，这种新材料的一大好处在于，它们可直接安装在现有的闪存设备中，而不需要重新设计整条闪存装置生产线，在扩大存储空间的同时还可节约成本。