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闪存的末日 NAND技术走入死胡同
NAND正在走向坟场。随着每次制程上的缩小和每次提高单元比特，NAND离坟墓就越来越近。任何代替的NV-RAM(非易失性-随机存取记忆体)技术都将要求控...
存储与灾备 / 2012-06-13
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2012年NAND闪存营业收入预计将增长8%
据IHS iSuppli公司的数据闪存市场研究报告，虽然2011年情况不如人意，但今年NAND闪存市场可望有不错的表现，装备固态硬盘的超级本(Ultrabook)等产品将...
行业资讯 / 2012-04-24
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OCZ亮剑 首款3位NAND闪存硬盘横空出世
OCZ在2012年CES展会上展出了首款使用3位NAND的主流电脑闪存硬盘。 闪存分为单级单元和多级单元两种，单级单元闪存速度快，使用寿命长，但价格昂...
存储与灾备 / 2012-01-13
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IMFT发布超小尺寸NAND 闪存大战开始
NAND尺寸缩小实际上指的是NAND制造中闪存单元制程的缩小。 Intel Micron Flash Technologies(IMFT：英特尔美光闪存技术公司)刚刚发布了一个使用2比特多层单...
存储与灾备 / 2011-12-08
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NAND闪存高级制程技术需上量方有意义
尽管NAND闪存厂商都在积极向亚30nm制程转移，但按闪存业者的看法，只有将这些高级制程投入量产使用才较有实际意义。NAND闪存产品向更高级制程节...
存储与灾备 / 2011-05-18
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东芝发布24纳米工艺的新型嵌入式NAND闪存
全新SmartNAND产品系列的样品将于四月中旬面市，将于2011 年第二季度（四月至六月）正式开始量产。 ...
存储与灾备 / 2011-04-06
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美光NAND控制器可删减依赖于芯片的功能
导读：美光表示一些闪存控制器任务将迁移到NAND芯片上，这样控制器制造商就不用做一些他们本不应该做的依赖于芯片的工作。 12月14日国际报道：...
厂商专区 / 2010-12-14
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三大芯片厂商合作开发10纳米级NAND技术
导读：英特尔、三星和东芝已经组成联盟，它们将联合开发10纳米级半导体产品，以生产容量更高的DRAM和闪存产品。 11月2日国际报道：英特尔、三...
行业资讯 / 2010-11-02
