作者：莫大康
SEMI China顾问

存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出；1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。　　在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如1995年DRAM在windo95的推动下创下年销售额达400亿美元的历史纪录，而开始由６英寸转向8英寸生产线，2007年DRAM开始退出８英寸，而转向12英寸。
　　
业界认为奇梦达的退出，并未表示此波存储器的兼并结束，因为目前全球存储器的厂家仍旧太多，如三星、海力士、美光、尔必达及台湾地区有多家。由于存储器产业的特点，需要高投入及大量生产。目前凡新建的厂都是超级大厂（superfab），12英寸的月产能在15万片左右，所以全球有2-3家存储器厂已足矣，所以认为此波兼并尚未完全彻底。
　　
业界要探讨为什么存储器有如此大的威力能够左右整个工业的起伏？
　　
全球DRAM市场自1996年崩盘之后到2001年间，全球半导体设备投资的主角是以Intel为代表的逻辑芯片商。
　　
但是2002年后处理器芯片开始进入90纳米，英特尔转变以往提高主频的策略，而转向降低功耗与提高功能。而在此时，基于市场需求上升，全球存储器的投资比重却日益增大。如2005年全球存储器投资增加40％；06年增加15％；07年增加30％及08年下跌20％。全球存储器的资本支出占销售额比重，2007年达73％，2008年即便下降也达到44％。
　　
另外，据SEMI统计，预计2008年全球硅片产能与07年相比增加11％，其中存储器的产能增加41％，而07年存储器产能增加38％。2008年全球前5大建厂投资计划，无一例外都是存储器，分别为东芝/新帝、三星、海力士、力晶与瑞晶。
　　
另外，从跟踪摩尔定律角度，NAND闪存走在最前列，已达4x-3xnm，其次是DRAM达5x-6xnm。由此，也推动许多半导体设备如光刻机、腐蚀机等专为存储器业而定制。
　　
Novellus的RickHill说得正确，在1980年代，全球2/3的芯片厂做MPU，逻辑电路，1/3芯片厂做存储器；如今反了过来，全球2/3芯片产能在做存储器。
　　
所以，无论从技术的先进性，或者投资及产能的扩充，全球都依赖存储器业，因此存储器成为全球半导体业的主角地位以及能够左右半导体业已经显而易见。
　　
在金融危机后，全球经济在各国政府共同努力下已逐渐走出低谷，半导体业也一样，预计2010年有10%以上的增长。其中存储器的表现也印证此点，如存储器价格在09年的Q1到Q4期间上升65%，导致大部分存储器厂开始获利。业界预计，2010年全球存储器的供货仍偏紧，所以价格继续上升是趋势，由此全球存储器DRAM的销售额可能有10%的增长及NAND闪存销售额会有25%的增长。 
 
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