继台积电表示将在明年初提供28nm全代工艺之后，东芝和NEC宣布将与IBM联合开发基于high-k金属栅极技术的28nm低功耗芯片。28nm制程能大大提高产量，据称，这些高效能芯片将主要用于移动装置和电子消费品。

NEC高级副总裁Masao Fukuma表示，“与先前的40nm制程相比，28nm低功耗制程技术将在降低功耗的同时显著提高芯片密度和性能，从而使产品更具竞争力。再加上NEC的高稳定性和低功耗技术，我们将成为首个推出SoC产品的厂商，以满足消费者的期望，并致力提供最大附加值。”

28nm的具体计划暂未透露，但是东芝表示将从明年四月开始量产28nm芯片。