IBM制成32nm SOI嵌入式DRAMIBM

2009-09-22    来源:semi    
IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。 IBM表示,使用SOI技术可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM还表示

  IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。

  IBM表示,使用SOI技术可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM还表示,基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管,和32nm、22nm的片上SRAM相比,具有更理想的密度和速度。

  IBM的这款32nm SOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒,与同类SRAM相比待机功耗降低4倍,软错误率降低1000多倍,功耗也大大减少。

  IBM希望将32nm SOI技术推向更广阔的领域。IBM已经向其代工客户提供32nm SOI技术,ARM正在为该技术开发库,双方的合作将持续到22nm SOI技术。

  IBM的工程师将于12月的IEDM上详细描述32nm和22nm嵌入式DRAM技术。


 

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