3月内存价格涨20% 或因上游芯片厂产能不给力头条相关

2013-03-22    来源:中国证券报    编辑:轶名
据媒体报道,内存3月上旬合约价同步大涨,DRAM模块合约价大涨15-23%,NAND闪存芯片亦大涨10%,其中严重缺货的TLC芯片涨幅更高达57-58%。

  据媒体报道,内存3月上旬合约价同步大涨,DRAM模块合约价大涨15-23%,NAND闪存芯片亦大涨10%,其中严重缺货的TLC芯片涨幅更高达57-58%。根据市调机构集邦科技调查,3月上旬DRAM市场主流的4GB模组合约均价达23美元,涨幅达16.46%;2GB模组产品,因正值世代交替阶段,供货更不稳定,带动合约均价攀高至13.75美元,涨幅超过20%。

  有券商分析认为今年以来DRAM及NAND价格持续调涨,除了市场需求转强外,最大原因仍在于上游DRAM及NAND芯片厂无法开出足够产能,导致市场供不应求。过去2年DRAM及NAND厂并无兴建新的生产线,今年就算扩大资本支出,新生产线产能也要等到今年第4季后才会开出。

  以DRAM来说,今年首季计算机销售成绩不佳,需求主要来自于采用标准型DRAM的国内白牌平板,推升现货价一路拉高,而3月因进入ODM/OEM厂的备货旺季,在市场供给量不足的情况下,ODM/OEM厂拉高采购价格区间,因此推升3月下旬DRAM合约价大涨。

  NAND芯片市场同样呈现供不应求,主要是受惠于行动装置及Ultrabook开始采用高容量eMMC或固态硬盘(SSD),大幅去化NAND产能。3月以来,因为MLC颗粒供给缺口扩大到3成,现货价不到半个月大涨逾20%,NAND厂将产能移转生产MLC,更导致TLC芯片在现货市场几乎断货,32Gb TLC NAND颗粒现货价半个月内已涨一倍。

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