基于闪存的高性能存储设备已经日益成为企业基础设施的必选。他可以通过服务器高速缓存和直接附加存储阵列混合动力或全固态存储设备的方式在企业中存在。

　　但是，企业的存储需求正在激增，这意味着企业无论是机械硬盘还是闪存存储在未来都将需要更多的存储容量。

　　机械硬盘的容量正在继续增长，每GB的价格正在呈现下降的趋势，这要感谢机械硬盘的很多创新，SMR与HAMR技术让磁盘的容量越来越大，氦气硬盘的出现很好的满足了存储空间大的需求。

　　但对于闪存存储再来，其最大的问题是否有创新来驱动闪存制造商的成本降低，容量增加。从而使闪存存储在未来可以实现大批量的存储。

　　好消息是，有三个重要的技术创新让闪存能够跟上机械硬盘价格下降的趋势，下面就让我们看一下这三种技术。

　　存储TLC

　　首先这个创新是围绕cell的创新，并涉及闪存存储数据的方式。

　　闪存是由存储单元（cells）组成，每一个都具有能够保持电荷的浮动栅极晶体管。该晶体管的状态决定该单元被存储的数据。目前，有不同种类型的闪存，包括SLC，MLC和企业级的EMLC等。

　　SLC是最简单的Flash技术，SLC每个存储单元只能存储一个数据，优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而，由于每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产。

　　MLC是比SLC更为复杂，因为每个单元的晶体管可容纳四个不同级别的电荷，允许两个比特被存储在细胞中。写入速度为MLC比SLC要慢。由于这些原因的MLC倾向于在消费设备中，而不是昂贵的企业级硬件被使用。

　　由于MLC比SLC便宜得多，厂家想出了EMLC的概念，被设计为多级单元闪存，并且如同SLC一样坚硬耐磨，使之更适合企业环境。EMLC和标准MLC之间的主要区别就是，在硬件控制器来管理闪存单元的固件写入单元更“温和”。这导致（MLC）的比之前拥有三倍耐力。

　　TLC是一种新兴的技术，每个存储单元能够存储三个比特数据，这意味着其能够存储更多的数据，这非常符合现在大数据时代对容量的需求。但是TLC也有缺点，就是速度和耐久性。但令人心奋的是只要弥补这些缺点，TLC将带来更大容量的存储闪存。

　　控制器技术

　　闪存控制器芯片管理存储在闪存中的数据并与所连接的设备进行通信。

　　闪存控制器芯片管理存储在闪存中的数据，并与所连接的设备进行通信。目前的闪存控制器技术的提高非常迅速。这意味着，我们可以通过控制器技术的提升，来使得存储成本的下降。

　　换句话说，改进的控制器技术多于抵消MLC的速度和耐用性，这意味着，MLC可能具有比昨天SLC更好的性能和耐久性。

　　3D闪存技术

　　3D闪存技术是指32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个存储单元，从而提高密度，降低碳足迹，同时还能可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。

　　3D闪存技术

　　因为3D闪存技术允许有更多的细胞堆叠在给定的表面积，这样总容量将比实际可以使用的容量要大很多。

　　随着3D晶体管技术的出现，闪存颗粒技术将出现重大的突破。三星、东芝、海力士、SanDisk、美光等闪存颗粒厂商目前都公布了3D闪存技术，三星更是于近期推出了采用3D闪存技术的产品——三星850 PRO系列固态硬盘。另外，东芝也表示将会于2015上推出采用3D技术的产品。虽然，各闪存颗粒厂商的3D技术各不相同，但原理大都一样。

　　这三种技术将在未来帮助闪存存储的空间变的更大，价格也将变的越来越低，值得我们关注。